La etiqueta y el marcado corporal de CSD19501KCS se pueden proporcionar después del orden.
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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar CSD19501KCS
VGS (th) (Max) @Id | 3.2V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | TO-220-3 |
Serie | NexFET™ |
RDS (Max) @Id, Vgs | 6.6 mOhm @ 60A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 217W (Tc) |
embalaje | Tube |
Paquete / Cubierta | TO-220-3 |
Otros nombres | 296-37286-5 CSD19501KCS-ND |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante | 35 Weeks |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Request inventory verification / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3980pF @ 40V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 50nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 80V |
Descripción detallada | N-Channel 80V 100A (Ta) 217W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Ta) |