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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar BSP297H6327XTSA1
VGS (th) (Max) @Id | 1.8V @ 400µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | PG-SOT223-4 |
Serie | SIPMOS® |
RDS (Max) @Id, Vgs | 1.8 Ohm @ 660mA, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 1.8W (Ta) |
embalaje | Cut Tape (CT) |
Paquete / Cubierta | TO-261-4, TO-261AA |
Otros nombres | BSP297H6327XTSA1CT |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 357pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 16.1nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 200V |
Descripción detallada | N-Channel 200V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 660mA (Ta) |