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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar VN0104N3-G-P013
VGS (th) (Max) @Id | 2.4V @ 1mA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | TO-92-3 |
Serie | - |
RDS (Max) @Id, Vgs | 3 Ohm @ 1A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 1W (Tc) |
embalaje | Tape & Box (TB) |
Paquete / Cubierta | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante | 5 Weeks |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 65pF @ 25V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 40V |
Descripción detallada | N-Channel 40V 350mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 350mA (Tj) |