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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar EPC8002
VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 250µA |
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Vgs (Max) | +6V, -4V |
Tecnología | GaNFET (Gallium Nitride) |
Paquete del dispositivo | Die |
Serie | eGaN® |
RDS (Max) @Id, Vgs | 530 mOhm @ 500mA, 5V |
La disipación de energía (máximo) | - |
embalaje | Cut Tape (CT) |
Paquete / Cubierta | Die |
Otros nombres | 917-1118-1 |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante | 12 Weeks |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 21pF @ 32.5V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 65V |
Descripción detallada | N-Channel 65V 2A (Ta) Surface Mount Die |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Ta) |