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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar RUF025N02TL
VGS (th) (Max) @Id | 1.3V @ 1mA |
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Vgs (Max) | ±10V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | TUMT3 |
Serie | - |
RDS (Max) @Id, Vgs | 54 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
La disipación de energía (máximo) | 320mW (Ta) |
embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | 3-SMD, Flat Leads |
Otros nombres | RUF025N02TLTR |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante | 10 Weeks |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 370pF @ 10V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 5nC @ 4.5V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V |
Descripción detallada | N-Channel 20V 2.5A (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount TUMT3 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Ta) |