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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar SQD50N04-5M6_T4GE3
VGS (th) (Max) @Id | 3.5V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | TO-252AA |
Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs | 5.6 mOhm @ 20A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 71W (Tc) |
embalaje | Original-Reel® |
Paquete / Cubierta | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Otros nombres | SQD50N04-5M6_T4GE3DKR |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4000pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 85nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 40V |
Descripción detallada | N-Channel 40V 50A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount TO-252AA |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |