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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar TPW4R008NH,L1Q
VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 1mA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | 8-DSOP Advance |
Serie | U-MOSVIII-H |
RDS (Max) @Id, Vgs | 4 mOhm @ 50A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 800mW (Ta), 142W (Tc) |
embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | 8-PowerVDFN |
Otros nombres | TPW4R008NH,L1Q(M TPW4R008NHL1QTR |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5300pF @ 40V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 59nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 80V |
Descripción detallada | N-Channel 80V 116A (Tc) 800mW (Ta), 142W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 116A (Tc) |