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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar NVTFS4824NWFTWG
VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | 8-WDFN (3.3x3.3) |
Serie | - |
RDS (Max) @Id, Vgs | 4.7 mOhm @ 23A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 3.2W (Ta), 21W (Tc) |
embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | 8-PowerWDFN |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante | 45 Weeks |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1740pF @ 12V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 29nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
Descripción detallada | N-Channel 30V 18.2A (Ta) 3.2W (Ta), 21W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3) |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 18.2A (Ta) |