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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar RN1119MFV,L3F
Tensión - Colector-emisor (máx) | 50V |
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VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Paquete del dispositivo | VESM |
Serie | - |
Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
Potencia - Max | 150mW |
Paquete / Cubierta | SOT-723 |
Otros nombres | RN1119MFVL3F |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Descripción detallada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM |
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
Corriente - corte del colector (Max) | 100nA (ICBO) |
Corriente - colector (Ic) (Max) | 100mA |