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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar 64-0007
VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | TO-220AB |
Serie | HEXFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs | 150 mOhm @ 11A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 150W (Tc) |
embalaje | Tube |
Paquete / Cubierta | TO-220-3 |
Otros nombres | *IRF640N IRF640N IRF640N-ND SP001522470 |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1160pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 67nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 200V |
Descripción detallada | N-Channel 200V 18A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |