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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar DS1220AB-120
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | 120ns |
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Suministro de voltaje | 4.75 V ~ 5.25 V |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Paquete del dispositivo | 24-EDIP |
Serie | - |
embalaje | Tube |
Paquete / Cubierta | 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Otros nombres | DS1220AB120 |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Tamaño de la memoria | 16Kb (2K x 8) |
Interfaz de memoria | Parallel |
Formato de memoria | NVSRAM |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
Descripción detallada | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 16Kb (2K x 8) Parallel 120ns 24-EDIP |
Número de pieza base | DS1220A |
Tiempo de acceso | 120ns |