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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar EPC2040ENGR
Voltaje - Prueba | 100pF @ 6V |
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Tensión - Desglose | Die |
VGS (th) (Max) @Id | 28 mOhm @ 1.5A, 5V |
Tecnología | GaNFET (Gallium Nitride) |
Serie | eGaN® |
Estado RoHS | Tray |
RDS (Max) @Id, Vgs | 3.4A (Ta) |
Polarización | Die |
Otros nombres | 917-EPC2040ENGR |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante | EPC2040ENGR |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 0.93nC @ 5V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 2.5V @ 1mA |
Característica de FET | N-Channel |
Descripción ampliada | N-Channel 15V 3.4A (Ta) Surface Mount Die |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | - |
Descripción | TRANS GAN 25V BUMPED DIE |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 15V |
relación de capacidades | - |