Existencias disponibles: 59562
Estamos almacenando el distribuidor de IDH08S120AKSA1 con un precio muy competitivo.Echa un vistazo a IDH08S120AKSA1 más nuevo Pirce, inventario y tiempo de liderazgo ahora usando el formulario RFQ rápido.Nuestro compromiso con la calidad y la autenticidad de IDH08S120AKSA1 es inquebrantable, y hemos implementado estrictos procesos de inspección y entrega de calidad para garantizar la integridad de IDH08S120AKSA1.También puede encontrar la hoja de datos IDH08S120AKSA1 aquí.
Componentes de circuito integrado de embalaje estándar IDH08S120AKSA1
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.8V @ 7.5A |
---|---|
Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 1200V |
Paquete del dispositivo | PG-TO220-2-2 |
Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Serie | CoolSiC™ |
Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0ns |
embalaje | Tube |
Paquete / Cubierta | TO-220-2 |
Otros nombres | IDH08S120 IDH08S120-ND SP000293031 |
Temperatura de funcionamiento - Junction | -55°C ~ 175°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
Descripción detallada | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 7.5A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2 |
Corriente - Fuga inversa a Vr | 180µA @ 1200V |
Corriente - rectificada media (Io) | 7.5A (DC) |
Capacitancia Vr, F | 380pF @ 1V, 1MHz |