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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar SI2374DS-T1-GE3
VGS (th) (Max) @Id | 1V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±8V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | SOT-23-3 (TO-236) |
Serie | TrenchFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs | 30 mOhm @ 4A, 4.5V |
La disipación de energía (máximo) | 960mW (Ta), 1.7W (Tc) |
embalaje | Cut Tape (CT) |
Paquete / Cubierta | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Otros nombres | SI2374DS-T1-GE3CT |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 735pF @ 10V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V |
Descripción detallada | N-Channel 20V 4.5A (Ta), 5.9A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Ta), 5.9A (Tc) |