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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar IRFH4257DTRPBF
VGS (th) (Max) @Id | 2.1V @ 35µA |
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Paquete del dispositivo | Dual PQFN (5x4) |
Serie | HEXFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs | 3.4 mOhm @ 25A, 10V |
Potencia - Max | 25W, 28W |
embalaje | Cut Tape (CT) |
Paquete / Cubierta | 8-PowerVDFN |
Otros nombres | IRFH4257DTRPBFCT |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1321pF @ 13V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica de FET | Logic Level Gate |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 25V |
Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 25A 25W, 28W Surface Mount Dual PQFN (5x4) |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 25A |