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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar NTTS2P02R2G
VGS (th) (Max) @Id | 1.4V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±8V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | Micro8™ |
Serie | - |
RDS (Max) @Id, Vgs | 90 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
La disipación de energía (máximo) | 780mW (Ta) |
embalaje | Cut Tape (CT) |
Paquete / Cubierta | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
Otros nombres | NTTS2P02R2GOSCT |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 550pF @ 16V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
Tipo FET | P-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V |
Descripción detallada | P-Channel 20V 2.4A (Ta) 780mW (Ta) Surface Mount Micro8™ |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 2.4A (Ta) |