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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar DMN2005UFG-13
VGS (th) (Max) @Id | 1.2V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±12V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | PowerDI3333-8 |
Serie | - |
RDS (Max) @Id, Vgs | 4.6 mOhm @ 13.5A, 4.5V |
La disipación de energía (máximo) | 1.05W (Ta) |
embalaje | Cut Tape (CT) |
Paquete / Cubierta | 8-PowerWDFN |
Otros nombres | DMN2005UFG-13DICT |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante | 32 Weeks |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6495pF @ 10V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 164nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V |
Descripción detallada | N-Channel 20V 18.1A (Tc) 1.05W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 18.1A (Tc) |