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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar DMN2005LP4K-7
VGS (th) (Max) @Id | 900mV @ 100µA |
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Vgs (Max) | ±10V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | X2-DFN1006-3 |
Serie | - |
RDS (Max) @Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 10mA, 4V |
La disipación de energía (máximo) | 400mW (Ta) |
embalaje | Cut Tape (CT) |
Paquete / Cubierta | 3-XFDFN |
Otros nombres | DMN2005LP4KDICT |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante | 20 Weeks |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 41pF @ 3V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V |
Descripción detallada | N-Channel 20V 200mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 200mA (Ta) |