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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar TSM60NB099PW C1G
VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±30V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | TO-247 |
Serie | - |
RDS (Max) @Id, Vgs | 99 mOhm @ 11.7A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 329W (Tc) |
Paquete / Cubierta | TO-247-3 |
Otros nombres | TSM60NB099PW C1G-ND TSM60NB099PWC1G |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante | 14 Weeks |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2587pF @ 100V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 62nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 600V |
Descripción detallada | N-Channel 600V 38A (Tc) 329W (Tc) Through Hole TO-247 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 38A (Tc) |