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APTML20UM18R010T1AG
- Mega fuente #: MEGA-APTML20UM18R010T1AG
- Fabricante: Microsemi
- embalaje: Bulk
- Descripción: MOSFET N-CH 200V 109A SP1
- RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
- Datasheet:
Nuestra certificación
RFQ rápido
Existencias disponibles: 57908
Descripción del Producto
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Especificaciones
Componentes de circuito integrado de embalaje estándar APTML20UM18R010T1AG
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 2.5mA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | SP1 |
| Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 19 mOhm @ 50A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 480W (Tc) |
| embalaje | Bulk |
| Paquete / Cubierta | SP1 |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 9880pF @ 25V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 200V |
| Descripción detallada | N-Channel 200V 109A (Tc) 480W (Tc) Chassis Mount SP1 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 109A (Tc) |
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APTML20UM18R010T1AG Preguntas frecuentes
- F¿Nuestros productos son de buena calidad?¿Hay garantía de calidad?
- QNuestros productos a través de una detección estricta, para garantizar que los usuarios compren productos genuinos y seguros, si hay problemas de calidad, ¡pueden devolverse en cualquier momento!
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- QHemos sido establecidos durante más de 20 años, centrándonos en la industria electrónica y nos esforzamos por proporcionar a los usuarios los productos IC de mejor calidad.
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Envío
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Tipo de producto y condición
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