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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar IXFN360N10T
VGS (th) (Max) @Id | 4.5V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | SOT-227B |
Serie | HiPerFET™ |
RDS (Max) @Id, Vgs | 2.6 mOhm @ 180A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 830W (Tc) |
embalaje | Tube |
Paquete / Cubierta | SOT-227-4, miniBLOC |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante | 24 Weeks |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 36000pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 505nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 100V |
Descripción detallada | N-Channel 100V 360A (Tc) 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 360A (Tc) |