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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar TK16A55D(STA4,Q,M)
VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 1mA |
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Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | TO-220SIS |
Serie | π-MOSVII |
RDS (Max) @Id, Vgs | 330 mOhm @ 8A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | - |
embalaje | Tube |
Paquete / Cubierta | TO-220-3 Full Pack |
Otros nombres | TK16A55D(STA4QM) TK16A55DSTA4QM |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 550V |
Descripción detallada | N-Channel 550V 16A (Ta) Through Hole TO-220SIS |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Ta) |