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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar FDMC8010DC
VGS (th) (Max) @Id | 3V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | 8-PQFN (3.3x3.3) |
Serie | - |
RDS (Max) @Id, Vgs | 1.28 mOhm @ 37A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 3W (Ta) |
embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | 8-PowerWDFN |
Otros nombres | FDMC8010DC-ND FDMC8010DCOSTR |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante | 6 Weeks |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7080pF @ 15V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 94nC @ 15V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | Standard |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
Descripción detallada | N-Channel 30V 37A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3) |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 37A (Ta) |