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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar CSD23201W10
VGS (th) (Max) @Id | 1V @ 250µA |
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Vgs (Max) | -6V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | 4-DSBGA (1x1) |
Serie | NexFET™ |
RDS (Max) @Id, Vgs | 82 mOhm @ 500mA, 4.5V |
La disipación de energía (máximo) | 1W (Ta) |
embalaje | Cut Tape (CT) |
Paquete / Cubierta | 4-UFBGA, DSBGA |
Otros nombres | 296-24258-1 |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 325pF @ 6V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 2.4nC @ 4.5V |
Tipo FET | P-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 12V |
Descripción detallada | P-Channel 12V 2.2A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1) |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 2.2A (Tc) |