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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar SI6466ADQ-T1-GE3
VGS (th) (Max) @Id | 450mV @ 250µA (Min) |
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Vgs (Max) | ±8V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | 8-TSSOP |
Serie | TrenchFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs | 14 mOhm @ 8.1A, 4.5V |
La disipación de energía (máximo) | 1.05W (Ta) |
embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 27nC @ 5V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V |
Descripción detallada | N-Channel 20V 6.8A (Ta) 1.05W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 6.8A (Ta) |