La etiqueta y el marcado corporal de FDZ191P_P se pueden proporcionar después del orden.
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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar FDZ191P_P
VGS (th) (Max) @Id | 1.5V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±8V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | 6-WLCSP |
Serie | PowerTrench® |
RDS (Max) @Id, Vgs | 85 mOhm @ 1A, 4.5V |
La disipación de energía (máximo) | 1.9W (Ta) |
embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | 6-UFBGA, WLCSP |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 10V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 13nC @ 10V |
Tipo FET | P-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V |
Descripción detallada | P-Channel 20V 3A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 6-WLCSP |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) |