La etiqueta y el marcado corporal de CSD88539ND se pueden proporcionar después del orden.
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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar CSD88539ND
VGS (th) (Max) @Id | 3.6V @ 250µA |
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Paquete del dispositivo | 8-SOIC |
Serie | NexFET™ |
RDS (Max) @Id, Vgs | 28 mOhm @ 5A, 10V |
Potencia - Max | 2.1W |
embalaje | Cut Tape (CT) |
Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Otros nombres | 296-37304-1 |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante | 35 Weeks |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 741pF @ 30V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 9.4nC @ 10V |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica de FET | Standard |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60V |
Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15A 2.1W Surface Mount 8-SOIC |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 15A |
Número de pieza base | CSD88539 |