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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar TPC8109(TE12L)
VGS (th) (Max) @Id | 2V @ 1mA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | 8-SOP (5.5x6.0) |
Serie | - |
RDS (Max) @Id, Vgs | 20 mOhm @ 5A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 1W (Ta) |
embalaje | Cut Tape (CT) |
Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
Otros nombres | TPC8109CT TPC8109TE12L |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2260pF @ 10V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Tipo FET | P-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
Descripción detallada | P-Channel 30V 10A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0) |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta) |