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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar TPC8062-H,LQ(CM
VGS (th) (Max) @Id | 2.3V @ 300µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | 8-SOP |
Serie | U-MOSVII-H |
RDS (Max) @Id, Vgs | 5.8 mOhm @ 9A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 1W (Ta) |
embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
Otros nombres | TPC8062-HLQ(CM TPC8062HLQCM |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2900pF @ 10V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 34nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
Descripción detallada | N-Channel 30V 18A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Ta) |